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High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs

Borgarino, M. ; Menozzi, ; Fantini, ; Schüssler, ; Hartnagel, (1995)
High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs.
In: Alta frequenza. 7 (1995), No. 5
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1995
Autor(en): Borgarino, M. ; Menozzi, ; Fantini, ; Schüssler, ; Hartnagel,
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1995
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Alta frequenza. 7 (1995), No. 5
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:31
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