TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs

Borgarino, M. ; Menozzi, ; Fantini, ; Schüssler, ; Hartnagel, :
High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs.
In: Alta frequenza. 7 (1995), No. 5
[Artikel], (1995)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1995
Autor(en): Borgarino, M. ; Menozzi, ; Fantini, ; Schüssler, ; Hartnagel,
Titel: High base current ideality factors due to trap-assisted band-to-band tunneling in AlGaAs/GaAs HBTs
Sprache: Deutsch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Alta frequenza. 7 (1995), No. 5
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:58
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen