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Technologiebeiträge zur Herstellung von Heterostrukturbauelementen aus dem Halbleitersystem InAs-GaSb-AlSb

Vogt, Alexander (1998)
Technologiebeiträge zur Herstellung von Heterostrukturbauelementen aus dem Halbleitersystem InAs-GaSb-AlSb.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Bibliographie

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1998
Autor(en): Vogt, Alexander
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Technologiebeiträge zur Herstellung von Heterostrukturbauelementen aus dem Halbleitersystem InAs-GaSb-AlSb
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1998
Ort: Aachen
Verlag: Shaker
Kollation: V, 160 S. : Ill., graph. Darst
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:17
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 08:59
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