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Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizont cold-wall CVD reactor

Wischmeyer, Frank ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. :
Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizont cold-wall CVD reactor.
In: Journal of electronic materials, 28 pp. 173-177.
[Artikel], (1999)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1999
Autor(en): Wischmeyer, Frank ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L.
Titel: Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizont cold-wall CVD reactor
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of electronic materials
Band: 28
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:26
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