Wischmeyer, Frank ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. (1999)
Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizont cold-wall CVD reactor.
In: Journal of electronic materials, 28
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1999 |
| Autor(en): | Wischmeyer, Frank ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Improvements of the SiC homoepitaxy process in a horizont cold-wall CVD reactor |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1999 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of electronic materials |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 28 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:26 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:29 |
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