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Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium

Wischmeyer, Frank and Horn, and Niemann, E. and Hartnagel, H. L. (1996):
Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium.
In: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Frühjahrstagung <1996, Regensburg>; Tagungsbd, [Conference or Workshop Item]

Item Type: Conference or Workshop Item
Erschienen: 1996
Creators: Wischmeyer, Frank and Horn, and Niemann, E. and Hartnagel, H. L.
Title: Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium
Language: German
Series Name: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Frühjahrstagung <1996, Regensburg>; Tagungsbd
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
18 Department of Electrical Engineering and Information Technology > Microwave Electronics
Date Deposited: 19 Nov 2008 16:26
License: [undefiniert]
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