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Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium

Wischmeyer, Frank ; Horn, ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. (1996)
Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1996
Autor(en): Wischmeyer, Frank ; Horn, ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: 1996
Reihe: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Frühjahrstagung <1996, Regensburg>; Tagungsbd
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:26
Letzte Änderung: 14 Feb 2019 10:48
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