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Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium

Wischmeyer, Frank ; Horn, ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. :
Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium.
In: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Frühjahrstagung <1996, Regensburg>; Tagungsbd .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1996)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1996
Autor(en): Wischmeyer, Frank ; Horn, ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L.
Titel: Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium
Sprache: Deutsch
Reihe: Deutsche Physikalische Gesellschaft: Frühjahrstagung <1996, Regensburg>; Tagungsbd
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:26
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