Wischmeyer, Frank ; Horn, J. ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. (1996)
Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium.
In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Reihe 6, 31 (6)
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1996 |
| Autor(en): | Wischmeyer, Frank ; Horn, J. ; Niemann, E. ; Hartnagel, H. L. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Rastertunnelmikroskopie als Methode zur Untersuchung des Interfaces zwischen CVD-gewachsenem 3C-SiC und Silizium |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | 1996 |
| Verlag: | Deutsche Physikalische Gesellschaft |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Reihe 6 |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 31 |
| (Heft-)Nummer: | 6 |
| Zusätzliche Informationen: | Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik bei der DPG: Regensburg 1996 vom 25. bis 29. März 1996 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:26 |
| Letzte Änderung: | 18 Nov 2024 10:07 |
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