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Model for the decrease in HBT collector current under DC stress based on recombination enhanced defect reactions

Schuessler, M. ; Mottet, B. ; Sydlo, C. ; Krozer, V. ; Hartnagel, H. L. ; Jakoby, Rolf (2000)
Model for the decrease in HBT collector current under DC stress based on recombination enhanced defect reactions.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2000
Autor(en): Schuessler, M. ; Mottet, B. ; Sydlo, C. ; Krozer, V. ; Hartnagel, H. L. ; Jakoby, Rolf
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Model for the decrease in HBT collector current under DC stress based on recombination enhanced defect reactions
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 Januar 2000
Ort: Oxford
Verlag: Pergamon
Reihe: ESREF 2000: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis <11, 2000, Dresden>: Proceedings. S. 1733-1738. - Oxford: Pergamon, 2000
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:25
Letzte Änderung: 11 Dez 2019 07:29
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