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Influence of high-κ dielectrics integration on ALD-based MoS2 field-effect transistor performance

Mahlouji, Reyhaneh ; Zhang, Yue ; Verheijen, Marcel A. ; Karwal, Saurabh ; Hofmann, Jan P. ; Kessels, Wilhelmus M. M. ; Bol, Ageeth A. (2024)
Influence of high-κ dielectrics integration on ALD-based MoS2 field-effect transistor performance.
In: ACS Applied Nano Materials, 7 (16)
doi: 10.1021/acsanm.4c02214
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2024
Autor(en): Mahlouji, Reyhaneh ; Zhang, Yue ; Verheijen, Marcel A. ; Karwal, Saurabh ; Hofmann, Jan P. ; Kessels, Wilhelmus M. M. ; Bol, Ageeth A.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Influence of high-κ dielectrics integration on ALD-based MoS2 field-effect transistor performance
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2024
Verlag: ACS Publications
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: ACS Applied Nano Materials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 7
(Heft-)Nummer: 16
DOI: 10.1021/acsanm.4c02214
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 11 Dez 2024 07:06
Letzte Änderung: 13 Dez 2024 05:41
PPN: 524628505
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