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Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors

Killat, Dirk ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz, ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz, ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz, :
Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors.
In: European Solid State Device Research Conference <26, 1996, Bologna>: Proceedings. S. 111-114 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1996)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1996
Autor(en): Killat, Dirk ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz, ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz, ; Kluge, ; Umbach, ; Langheinrich, ; Schmitz,
Titel: Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors
Sprache: Englisch
Reihe: European Solid State Device Research Conference <26, 1996, Bologna>: Proceedings. S. 111-114
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:55
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