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Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors

Killat, Dirk ; Kluge, Johannes von ; Umbach, Frank ; Langheinrich, Werner ; Schmitz, R.
Hrsg.: Baccerani, Giorgio (1996)
Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors.
26th European Solid State Device Research Conference. Bologna, Italy (09.09.1996-11.09.1996)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1996
Herausgeber: Baccerani, Giorgio
Autor(en): Killat, Dirk ; Kluge, Johannes von ; Umbach, Frank ; Langheinrich, Werner ; Schmitz, R.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Sensitivity and noise of MOS magnetic field effect transistors
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Ort: Gif-sur-Yvette
Verlag: Ed. Frontieres
Buchtitel: ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference
Veranstaltungstitel: 26th European Solid State Device Research Conference
Veranstaltungsort: Bologna, Italy
Veranstaltungsdatum: 09.09.1996-11.09.1996
URL / URN: https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=543...
Zugehörige Links:
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:55
Letzte Änderung: 17 Dez 2024 14:51
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