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Epitaxial growth of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films

Krockenberger, Y. ; Kurian, J. ; Naito, M. ; Alff, L. (2024)
Epitaxial growth of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films.
In: Journal of Physics: Conference Series, 2008, 108 (1)
doi: 10.26083/tuprints-00020701
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

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Kurzbeschreibung (Abstract)

We have grown (001)-oriented thin films of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ with cerium composition 0 < x < 0.2 by state-of-the-art reactive molecular beam epitaxy and characterized them by x-ray diffraction and transport measurements. A systematical change in the c-axis length upon cerium doping indicates that single-phase films were obtained for the whole doping range. Based on a log po₂ - 1/T phase diagram in combination with reflection high energy electron diffraction (RHEED), phase stability has been determined in order to achieve optimized reduction conditions. Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films even after controlled reductions treatment did not show superconductivity in the whole range of Ce concentration studied. However, the room temperature resistivity of optimally reduced Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films shows a minimum at around xCe = 0.16. Our results on the growth and characterization of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films on (100) SrTiO3 substrates are described in detail.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2024
Autor(en): Krockenberger, Y. ; Kurian, J. ; Naito, M. ; Alff, L.
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Epitaxial growth of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 22 Januar 2024
Ort: Darmstadt
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: 1 März 2008
Ort der Erstveröffentlichung: Bristol
Verlag: IOP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Physics: Conference Series
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 108
(Heft-)Nummer: 1
Kollation: 6 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00020701
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20701
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Herkunft: Zweitveröffentlichung DeepGreen
Kurzbeschreibung (Abstract):

We have grown (001)-oriented thin films of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ with cerium composition 0 < x < 0.2 by state-of-the-art reactive molecular beam epitaxy and characterized them by x-ray diffraction and transport measurements. A systematical change in the c-axis length upon cerium doping indicates that single-phase films were obtained for the whole doping range. Based on a log po₂ - 1/T phase diagram in combination with reflection high energy electron diffraction (RHEED), phase stability has been determined in order to achieve optimized reduction conditions. Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films even after controlled reductions treatment did not show superconductivity in the whole range of Ce concentration studied. However, the room temperature resistivity of optimally reduced Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films shows a minimum at around xCe = 0.16. Our results on the growth and characterization of Gd₂₋ₓCeₓCuO₄ thin films on (100) SrTiO3 substrates are described in detail.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-207011
Zusätzliche Informationen:

INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LATTICE EFFECTS IN CUPRATE HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS (LEHTSC2007) 31 October to 3 November 2007, Tsukuba, Japan

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten
Hinterlegungsdatum: 22 Jan 2024 12:49
Letzte Änderung: 23 Jan 2024 09:00
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