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Microwave noise measurements on Al 0.3Ga 0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4

Miranda-Pantoja, J. M. ; Vogt, Alexander ; Schüßler, M. ; Shaalan, M. ; Matulionis, A. ; Sebastian, J. L. ; Hartnagel, H. L. :
Microwave noise measurements on Al 0.3Ga 0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4.
In: Journal of semiconductor science and technology. 1998, H. 13, S. 833-836
[Artikel], (1998)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1998
Autor(en): Miranda-Pantoja, J. M. ; Vogt, Alexander ; Schüßler, M. ; Shaalan, M. ; Matulionis, A. ; Sebastian, J. L. ; Hartnagel, H. L.
Titel: Microwave noise measurements on Al 0.3Ga 0.7As/GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using As2 and As4
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of semiconductor science and technology. 1998, H. 13, S. 833-836
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:22
Zusätzliche Informationen:

Zeichendarst. im Sachtitel teilw. nicht vorlagegemäß wiedergegeben

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