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Electrical characterisation of Si3N4/SiO2 double layers on p-type 6H-SiC

Berberich, Stephan ; Godignon, P. ; Morvan, E. ; Fonseca, L. ; Millan, J. ; Hartnagel, H. L. :
Electrical characterisation of Si3N4/SiO2 double layers on p-type 6H-SiC.
In: Workshop on Dielectrics <10, 1999, Barcelona>: Proceedings .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1999)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1999
Autor(en): Berberich, Stephan ; Godignon, P. ; Morvan, E. ; Fonseca, L. ; Millan, J. ; Hartnagel, H. L.
Titel: Electrical characterisation of Si3N4/SiO2 double layers on p-type 6H-SiC
Sprache: Englisch
Reihe: Workshop on Dielectrics <10, 1999, Barcelona>: Proceedings
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:22
Zusätzliche Informationen:

Zeichendarst. im Sachtitel teilw. nicht vorlagegemäß wiedergegeben

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