Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Brötz, Joachim ; Klein, Andreas (2021)
Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide.
In: Journal of Applied Physics, 2011, 109 (11)
doi: 10.26083/tuprints-00019938
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu₂O) are identified. In addition, the interface formation between Cu₂O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu₂O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Deuermeier, Jonas ; Gassmann, Jürgen ; Brötz, Joachim ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2011 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 109 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| Kollation: | 7 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019938 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19938 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Thin films of copper oxides were prepared by reactive magnetron sputtering and structural, morphological, chemical, and electronic properties were analyzed using x-ray diffraction, atomic force microscopy, in situ photoelectron spectroscopy, and electrical resistance measurements. The deposition conditions for preparation of Cu(I)-oxide (Cu₂O) are identified. In addition, the interface formation between Cu₂O and Sn-doped In2O3 (ITO) was studied by stepwise deposition of Cu₂O onto ITO and vice versa. A type II (staggered) band alignment with a valence band offset. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-199383 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Strukturforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Nov 2021 13:22 |
| Letzte Änderung: | 18 Nov 2021 06:15 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Reactive magnetron sputtering of Cu₂O: Dependence on oxygen pressure and interface formation with indium tin oxide. (deposited 17 Nov 2021 13:22) [Gegenwärtig angezeigt]
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