Wardenga, Hans ; Frischbier, Mareike ; Morales-Masis, Monica ; Klein, Andreas (2021)
In Situ Hall Effect Monitoring of Vacuum Annealing of In₂O₃:H Thin Films.
In: Materials, 2015, 8 (2)
doi: 10.26083/tuprints-00019791
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
Hydrogen doped In2O₃ thin films were prepared by room temperature sputter deposition with the addition of H₂O to the sputter gas. By subsequent vacuum annealing, the films obtain high mobility up to 90 cm²/Vs. The films were analyzed in situ by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ex situ by X-ray diffraction (XRD), optical transmission and Hall effect measurements. Furthermore, we present results from in situ Hall effect measurements during vacuum annealing of In₂O₃:H films, revealing distinct dependence of carrier concentration and mobility with time at different annealing temperatures. We suggest hydrogen passivation of grain boundaries as the main reason for the high mobility obtained with In₂O₃:H films.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Wardenga, Hans ; Frischbier, Mareike ; Morales-Masis, Monica ; Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | In Situ Hall Effect Monitoring of Vacuum Annealing of In₂O₃:H Thin Films |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2015 |
| Verlag: | MDPI |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Materials |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 8 |
| (Heft-)Nummer: | 2 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019791 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19791 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Hydrogen doped In2O₃ thin films were prepared by room temperature sputter deposition with the addition of H₂O to the sputter gas. By subsequent vacuum annealing, the films obtain high mobility up to 90 cm²/Vs. The films were analyzed in situ by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ex situ by X-ray diffraction (XRD), optical transmission and Hall effect measurements. Furthermore, we present results from in situ Hall effect measurements during vacuum annealing of In₂O₃:H films, revealing distinct dependence of carrier concentration and mobility with time at different annealing temperatures. We suggest hydrogen passivation of grain boundaries as the main reason for the high mobility obtained with In₂O₃:H films. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-197917 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 600 Technik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 29 Okt 2021 12:18 |
| Letzte Änderung: | 01 Nov 2021 07:19 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- In Situ Hall Effect Monitoring of Vacuum Annealing of In₂O₃:H Thin Films. (deposited 29 Okt 2021 12:18) [Gegenwärtig angezeigt]
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