Deuermeier, Jonas ; Kiazadeh, Asal ; Klein, Andreas ; Martins, Rodrigo ; Fortunato, Elvira (2021)
Multi-Level Cell Properties of a Bilayer Cu₂O/Al₂O₃ Resistive Switching Device.
In: Nanomaterials, 2019, 9 (2)
doi: 10.26083/tuprints-00019794
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
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Kurzbeschreibung (Abstract)
Multi-level resistive switching characteristics of a Cu₂O/Al₂O₃ bilayer device are presented. An oxidation state gradient in copper oxide induced by the fabrication process was found to play a dominant role in defining the multiple resistance states. The highly conductive grain boundaries of the copper oxide - an unusual property for an oxide semiconductor - are discussed for the first time regarding their role in the resistive switching mechanism.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Deuermeier, Jonas ; Kiazadeh, Asal ; Klein, Andreas ; Martins, Rodrigo ; Fortunato, Elvira |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Multi-Level Cell Properties of a Bilayer Cu₂O/Al₂O₃ Resistive Switching Device |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2019 |
| Verlag: | MDPI |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Nanomaterials |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 9 |
| (Heft-)Nummer: | 2 |
| Kollation: | 10 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019794 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19794 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Multi-level resistive switching characteristics of a Cu₂O/Al₂O₃ bilayer device are presented. An oxidation state gradient in copper oxide induced by the fabrication process was found to play a dominant role in defining the multiple resistance states. The highly conductive grain boundaries of the copper oxide - an unusual property for an oxide semiconductor - are discussed for the first time regarding their role in the resistive switching mechanism. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-197941 |
| Zusätzliche Informationen: | Keywords: resistive switching memories; multi-level cell; copper oxide; grain boundaries; aluminum oxide |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Elektronenstruktur von Materialien |
| Hinterlegungsdatum: | 29 Okt 2021 12:21 |
| Letzte Änderung: | 01 Nov 2021 07:17 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
- Multi-Level Cell Properties of a Bilayer Cu₂O/Al₂O₃ Resistive Switching Device. (deposited 29 Okt 2021 12:21) [Gegenwärtig angezeigt]
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