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Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz

Regensburger, Stefan ; Mukherjee, Amlan k. ; Schönhuber, Sebastian ; Kainz, Martin A. ; Winnerl, Stephan ; Klopf, J. Michael ; Lu, Hong ; Gossard, Arthur C. ; Unterrainer, Karl ; Preu, Sascha (2018)
Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz.
In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 8 (4)
doi: 10.1109/TTHZ.2018.2843535
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2018
Autor(en): Regensburger, Stefan ; Mukherjee, Amlan k. ; Schönhuber, Sebastian ; Kainz, Martin A. ; Winnerl, Stephan ; Klopf, J. Michael ; Lu, Hong ; Gossard, Arthur C. ; Unterrainer, Karl ; Preu, Sascha
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: Juli 2018
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 8
(Heft-)Nummer: 4
DOI: 10.1109/TTHZ.2018.2843535
URL / URN: http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Broadband_ZeroBias_FET_THz
Zugehörige Links:
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
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18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum: 31 Mai 2018 16:44
Letzte Änderung: 10 Dez 2021 07:13
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