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Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik

Ressel, Peter (1999)
Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik.
Technische Universität Darmstadt
Ph.D. Thesis, Bibliographie

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 1999
Creators: Ressel, Peter
Type of entry: Bibliographie
Title: Ohm-Kontakte für die Basis von InP-In 0.53 Ga 0.47 As-Hetero-Bipolartransistoren in der Optoelektronik
Language: German
Date: 1999
Place of Publication: Aachen
Publisher: Shaker
Collation: III, 108 S.
Edition: Aachen: Shaker, 1999. III, 108 S
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
Date Deposited: 19 Nov 2008 15:56
Last Modified: 05 Mar 2013 08:30
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