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Large Bandwidth TDS System using ErAs:InGaAs photoconductor with highest recorded resistivity and breakdown voltage

Nandi, U. ; Norman, J. C. ; Gossard, A. C. ; Lu, H. ; Preu, Sascha (2018)
Large Bandwidth TDS System using ErAs:InGaAs photoconductor with highest recorded resistivity and breakdown voltage.
International Workshop on Terahertz Technology and Applications. Kaiserslautern, Germany (March 20th/21st 2018)
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2018
Autor(en): Nandi, U. ; Norman, J. C. ; Gossard, A. C. ; Lu, H. ; Preu, Sascha
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Large Bandwidth TDS System using ErAs:InGaAs photoconductor with highest recorded resistivity and breakdown voltage
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: März 2018
Veranstaltungstitel: International Workshop on Terahertz Technology and Applications
Veranstaltungsort: Kaiserslautern, Germany
Veranstaltungsdatum: March 20th/21st 2018
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum: 11 Okt 2018 15:27
Letzte Änderung: 10 Dez 2021 07:13
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