Lakshminarayanan, Sreekesh ; Hofmann, Klaus (2017)
A Wideband RF Power Detector with -56 dBm Sensitivity and 64 dB Dynamic Range in SiGe BiCMOS Technology.
IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Baltimore, Maryland, USA
doi: 10.1109/ISCAS.2017.8050666
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2017 |
| Autor(en): | Lakshminarayanan, Sreekesh ; Hofmann, Klaus |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | A Wideband RF Power Detector with -56 dBm Sensitivity and 64 dB Dynamic Range in SiGe BiCMOS Technology |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 30 Mai 2017 |
| Veranstaltungstitel: | IEEE International Symposium on Circuits and Systems |
| Veranstaltungsort: | Baltimore, Maryland, USA |
| DOI: | 10.1109/ISCAS.2017.8050666 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Datentechnik > Integrierte Elektronische Systeme (IES) |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Apr 2018 13:45 |
| Letzte Änderung: | 15 Aug 2024 09:39 |
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