Mundt, Paul (2018)
Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
ZnO Nanopartikel werden nasschemisch synthetisiert und als aktives Halbleitermaterial in Dioden und Transistoren verwendet. Bei der elektrischen Charakterisierung der ZnO Nanopartikel Dioden wird ein starker Einfluß der Partikelgeometrie auf das Kennlinienverhalten deutlich. Im Vergleich mit Dioden aus gesputtertem ZnO zeigen die Kennlinien der Dioden aus ZnO Nanopartikeln ein invertiertes Durchlassverhalten. Die Ursache dieser Invertierung wird untersucht und erklärt. An Transistoren auf der Basis von ZnO Nanopartikeln wird der Einfluß von verschiedenen Athmosphären demonstriert und die zugrundeliegenden Effekte erörtert.
| Typ des Eintrags: | Dissertation | ||||
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| Erschienen: | 2018 | ||||
| Autor(en): | Mundt, Paul | ||||
| Art des Eintrags: | Erstveröffentlichung | ||||
| Titel: | Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln | ||||
| Sprache: | Deutsch | ||||
| Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Rehahn, Prof. Dr. Matthias | ||||
| Publikationsjahr: | 2018 | ||||
| Ort: | Darmstadt | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung: | 21 Dezember 2017 | ||||
| URL / URN: | http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/7249 | ||||
| Kurzbeschreibung (Abstract): | ZnO Nanopartikel werden nasschemisch synthetisiert und als aktives Halbleitermaterial in Dioden und Transistoren verwendet. Bei der elektrischen Charakterisierung der ZnO Nanopartikel Dioden wird ein starker Einfluß der Partikelgeometrie auf das Kennlinienverhalten deutlich. Im Vergleich mit Dioden aus gesputtertem ZnO zeigen die Kennlinien der Dioden aus ZnO Nanopartikeln ein invertiertes Durchlassverhalten. Die Ursache dieser Invertierung wird untersucht und erklärt. An Transistoren auf der Basis von ZnO Nanopartikeln wird der Einfluß von verschiedenen Athmosphären demonstriert und die zugrundeliegenden Effekte erörtert. |
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| Alternatives oder übersetztes Abstract: |
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| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-72499 | ||||
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften | ||||
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Elektronische Materialeigenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften |
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| Hinterlegungsdatum: | 04 Mär 2018 20:55 | ||||
| Letzte Änderung: | 04 Mär 2018 20:55 | ||||
| PPN: | |||||
| Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Rehahn, Prof. Dr. Matthias | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: | 21 Dezember 2017 | ||||
| Export: | |||||
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