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Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz

Regensburger, Stefan ; Mukherjee, Amlan k. ; Schönhuber, Sebastian ; Kainz, Martin A. ; Winnerl, Stephan ; Klopf, J. Michael ; Lu, Hong ; Gossard, Arthur C. ; Unterrainer, Karl ; Preu, Sascha :
Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz.
[Online-Edition: http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Broadband_ZeroBias_FET_THz]
In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 8 (4) pp. 465-471. ISSN 2156-342X
[Artikel], (2018)

Offizielle URL: http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Broadband_ZeroBias_FET_THz
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2018
Autor(en): Regensburger, Stefan ; Mukherjee, Amlan k. ; Schönhuber, Sebastian ; Kainz, Martin A. ; Winnerl, Stephan ; Klopf, J. Michael ; Lu, Hong ; Gossard, Arthur C. ; Unterrainer, Karl ; Preu, Sascha
Titel: Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
Band: 8
(Heft-)Nummer: 4
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum: 31 Mai 2018 16:44
DOI: 10.1109/TTHZ.2018.2843535
Offizielle URL: http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Broadband_ZeroBias_FET_THz
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