Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz

Typ des Eintrags:	Artikel
Erschienen:	2018
Autor(en):	Regensburger, Stefan ; Mukherjee, Amlan k. ; Schönhuber, Sebastian ; Kainz, Martin A. ; Winnerl, Stephan ; Klopf, J. Michael ; Lu, Hong ; Gossard, Arthur C. ; Unterrainer, Karl ; Preu, Sascha
Art des Eintrags:	Bibliographie
Titel:	Broadband Terahertz Detection with Zero-Bias Field-Effect Transistors between 100 GHz and 11.8 THz with a Noise Equivalent Power of 250 pW/√Hz at 0.6 THz
Sprache:	Englisch
Publikationsjahr:	Juli 2018
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe:	IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift:	8
(Heft-)Nummer:	4
DOI:	10.1109/TTHZ.2018.2843535
URL / URN:	http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Broadband_ZeroBias_FET_THz
Zugehörige Links:	https://dx.doi.org/10.1109/TTHZ.2018.284...
Fachbereich(e)/-gebiet(e):	18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems
Hinterlegungsdatum:	31 Mai 2018 16:44
Letzte Änderung:	10 Dez 2021 07:13
PPN:
Zugehörige Links:	https://dx.doi.org/10.1109/TTHZ.2018.284...
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