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Growth and interface engineering in thin-filmBa0.6Sr0.4TiO3/SrMoO3heterostructures

Radetinac, Aldin ; Ziegler, Jürgen ; Vafaee, Mehran ; Alff, Lambert ; Komissinskiy, Philipp (2017)
Growth and interface engineering in thin-filmBa0.6Sr0.4TiO3/SrMoO3heterostructures.
In: Journal of Crystal Growth, 463
doi: 10.1016/j.jcrysgro.2017.02.015
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Epitaxial heterostructures of ferroelectric Ba0.6Sr0.4TiO3 and highly conducting SrMoO3 were grown by pulsed laser deposition on SrTiO3 (0 0 1) substrates. Surface oxidation of the SrMoO3 film is suppressed using a thin cap interlayer of Ba0.6Sr0.4TiO3-δ grown in reduced atmosphere. As shown by X-ray photoelectron spectroscopy, the Mo4+ valence state of the SrMoO3 films is stable upon annealing of the sample in oxygen up to 600 °C. The described oxygen interface engineering enables utilization of the highly conducting material SrMoO3 in multilayer oxide ferroelectric varactors.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2017
Autor(en): Radetinac, Aldin ; Ziegler, Jürgen ; Vafaee, Mehran ; Alff, Lambert ; Komissinskiy, Philipp
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Growth and interface engineering in thin-filmBa0.6Sr0.4TiO3/SrMoO3heterostructures
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 April 2017
Verlag: Elsevier Science Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Crystal Growth
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 463
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.02.015
URL / URN: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.02.015
Kurzbeschreibung (Abstract):

Epitaxial heterostructures of ferroelectric Ba0.6Sr0.4TiO3 and highly conducting SrMoO3 were grown by pulsed laser deposition on SrTiO3 (0 0 1) substrates. Surface oxidation of the SrMoO3 film is suppressed using a thin cap interlayer of Ba0.6Sr0.4TiO3-δ grown in reduced atmosphere. As shown by X-ray photoelectron spectroscopy, the Mo4+ valence state of the SrMoO3 films is stable upon annealing of the sample in oxygen up to 600 °C. The described oxygen interface engineering enables utilization of the highly conducting material SrMoO3 in multilayer oxide ferroelectric varactors.

Freie Schlagworte: A1. Surfaces, A1. Interfaces, A3. Laser epitaxy, A3. Heterostrostructures, B1. Perovskite oxides
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 11 Dez 2017 12:07
Letzte Änderung: 11 Dez 2017 12:07
PPN:
Sponsoren: This work was supported by the DFG projects GRK 1037 (TICMO) and KO 4093/1.
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