Fernandez Olvera, Anuar de Jesus ; Lu, H. ; Gossard, A. C. ; Preu, S. (2017)
Continuous-wave 1550 nm operated terahertz system using ErAs:In(Al)GaAs photo-conductors with 52 dB dynamic range at 1 THz.
In: Opt. Express, 25 (23)
doi: 10.1364/OE.25.029492
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Telecom-wavelength compatible photoconductors benefit strongly from the large amount and affordability of telecom lasers and components but there are demanding requirements on material development. We demonstrate continuous-wave (CW) photomixing with a setup that only uses ErAs:In(Al)GaAs devices with a peak dynamic range (DNR) of 78 dB and a bandwidth of ∼3.65 THz at an integration time of 300 ms and only 26 mW laser power on each device. The ErAs:InGaAs receiver further features a factor of two lower noise equivalent power (NEP) than a state-of-the-art photoconductor, despite an antenna mismatch.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2017 |
| Autor(en): | Fernandez Olvera, Anuar de Jesus ; Lu, H. ; Gossard, A. C. ; Preu, S. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Continuous-wave 1550 nm operated terahertz system using ErAs:In(Al)GaAs photo-conductors with 52 dB dynamic range at 1 THz |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | November 2017 |
| Verlag: | OSA |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Opt. Express |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 25 |
| (Heft-)Nummer: | 23 |
| DOI: | 10.1364/OE.25.029492 |
| URL / URN: | http://www.tsys.tu-darmstadt.de/Preu_ErAsInGaAs_CW |
| Zugehörige Links: | |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Telecom-wavelength compatible photoconductors benefit strongly from the large amount and affordability of telecom lasers and components but there are demanding requirements on material development. We demonstrate continuous-wave (CW) photomixing with a setup that only uses ErAs:In(Al)GaAs devices with a peak dynamic range (DNR) of 78 dB and a bandwidth of ∼3.65 THz at an integration time of 300 ms and only 26 mW laser power on each device. The ErAs:InGaAs receiver further features a factor of two lower noise equivalent power (NEP) than a state-of-the-art photoconductor, despite an antenna mismatch. |
| Freie Schlagworte: | Photoconductivity; Photoconductive materials; Detectors; Far infrared or terahertz |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Terahertz Systems |
| Hinterlegungsdatum: | 05 Dez 2017 12:54 |
| Letzte Änderung: | 10 Dez 2021 07:13 |
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