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Vertical nanowire contacted THz Schottky detectors based on gallium arsenide for zero-bias operation

Hajo, A. S. ; Yilmazoglu, O. ; Küppers, F. :
Vertical nanowire contacted THz Schottky detectors based on gallium arsenide for zero-bias operation.
In: 2017 42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz).
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2017)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2017
Autor(en): Hajo, A. S. ; Yilmazoglu, O. ; Küppers, F.
Titel: Vertical nanowire contacted THz Schottky detectors based on gallium arsenide for zero-bias operation
Sprache: Englisch
Freie Schlagworte: III-V semiconductors;Schottky barriers;gallium arsenide;nanowires;semiconductor-metal boundaries;silver;terahertz wave detectors;GaAs-Ag;Schottky diodes;air-bridge contact;gallium arsenide;silver nanowire;terahertz Schottky detectors;vertical nanowire;zero-bias operation;Capacitance;Cutoff frequency;Detectors;Gallium arsenide;Junctions;Schottky barriers;Schottky diodes
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Veranstaltungstitel: 2017 42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Hinterlegungsdatum: 23 Nov 2017 12:59
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