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Anisotropic solid–liquid interface kinetics in silicon: an atomistically informed phase-field model

Bergmann, S. ; Albe, K. ; Flegel, E. ; Barragan-Yani, D. A. ; Wagner, B. (2017)
Anisotropic solid–liquid interface kinetics in silicon: an atomistically informed phase-field model.
In: Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering, 25 (6)
doi: 10.1088/1361-651X/aa7862
Artikel, Bibliographie

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Kurzbeschreibung (Abstract)

We present an atomistically informed parametrization of a phase-field model for describing the anisotropic mobility of liquid–solid interfaces in silicon. The model is derived from a consistent set of atomistic data and thus allows to directly link molecular dynamics and phase field simulations. Expressions for the free energy density, the interfacial energy and the temperature and orientation dependent interface mobility are systematically fitted to data from molecular dynamics simulations based on the Stillinger–Weber interatomic potential. The temperature-dependent interface velocity follows a Vogel–Fulcher type behavior and allows to properly account for the dynamics in the undercooled melt.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2017
Autor(en): Bergmann, S. ; Albe, K. ; Flegel, E. ; Barragan-Yani, D. A. ; Wagner, B.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Anisotropic solid–liquid interface kinetics in silicon: an atomistically informed phase-field model
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 18 Juli 2017
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 25
(Heft-)Nummer: 6
DOI: 10.1088/1361-651X/aa7862
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Kurzbeschreibung (Abstract):

We present an atomistically informed parametrization of a phase-field model for describing the anisotropic mobility of liquid–solid interfaces in silicon. The model is derived from a consistent set of atomistic data and thus allows to directly link molecular dynamics and phase field simulations. Expressions for the free energy density, the interfacial energy and the temperature and orientation dependent interface mobility are systematically fitted to data from molecular dynamics simulations based on the Stillinger–Weber interatomic potential. The temperature-dependent interface velocity follows a Vogel–Fulcher type behavior and allows to properly account for the dynamics in the undercooled melt.

Freie Schlagworte: phase-field model, molecular dynamics simulation, interface kinetics, silicon recrystallization
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung
Hinterlegungsdatum: 21 Jul 2017 08:27
Letzte Änderung: 10 Jan 2024 08:12
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