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Electronic properties of In₂O₃ surfaces

Klein, Andreas (2000)
Electronic properties of In₂O₃ surfaces.
In: Applied Physics Letters, 77 (13)
doi: 10.1063/1.1312199
Artikel, Bibliographie

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Kurzbeschreibung (Abstract)

Surfaces of reactively evaporated In₂O₃ films were investigated in situ by synchrotron-excited photoemission. Work function, valence band maximum, and electronic states in the band gap were determined as a function of oxygen pressure. Surface and bulk electronic properties can only be explained consistently with the assumption of a surface depletion layer.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2000
Autor(en): Klein, Andreas
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electronic properties of In₂O₃ surfaces
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 Juli 2000
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 77
(Heft-)Nummer: 13
DOI: 10.1063/1.1312199
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Kurzbeschreibung (Abstract):

Surfaces of reactively evaporated In₂O₃ films were investigated in situ by synchrotron-excited photoemission. Work function, valence band maximum, and electronic states in the band gap were determined as a function of oxygen pressure. Surface and bulk electronic properties can only be explained consistently with the assumption of a surface depletion layer.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:04
Letzte Änderung: 26 Jul 2024 10:08
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