Klein, Andreas (2000)
Electronic properties of In₂O₃ surfaces.
In: Applied Physics Letters, 77 (13)
doi: 10.1063/1.1312199
Artikel, Bibliographie
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Kurzbeschreibung (Abstract)
Surfaces of reactively evaporated In₂O₃ films were investigated in situ by synchrotron-excited photoemission. Work function, valence band maximum, and electronic states in the band gap were determined as a function of oxygen pressure. Surface and bulk electronic properties can only be explained consistently with the assumption of a surface depletion layer.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2000 |
| Autor(en): | Klein, Andreas |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Electronic properties of In₂O₃ surfaces |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1 Juli 2000 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 77 |
| (Heft-)Nummer: | 13 |
| DOI: | 10.1063/1.1312199 |
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| Kurzbeschreibung (Abstract): | Surfaces of reactively evaporated In₂O₃ films were investigated in situ by synchrotron-excited photoemission. Work function, valence band maximum, and electronic states in the band gap were determined as a function of oxygen pressure. Surface and bulk electronic properties can only be explained consistently with the assumption of a surface depletion layer. |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:04 |
| Letzte Änderung: | 26 Jul 2024 10:08 |
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags
-
Electronic properties of In₂O₃ surfaces. (deposited 08 Nov 2021 12:12)
- Electronic properties of In₂O₃ surfaces. (deposited 19 Nov 2008 16:04) [Gegenwärtig angezeigt]
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