Preis, S. ; Wiens, A. ; Maune, H. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Bengtsson, O. (2016)
Reconfigurable package integrated 20 W RF power GaN HEMT with discrete thick-film MIM BST varactors.
In: Electronics Letters, 52 (4)
Artikel, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1049/el.2015.4109
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Preis, S. ; Wiens, A. ; Maune, H. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Bengtsson, O. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Reconfigurable package integrated 20 W RF power GaN HEMT with discrete thick-film MIM BST varactors |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | 2016 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Electronics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 52 |
| (Heft-)Nummer: | 4 |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1049/el.2015.4109 |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;MIM devices;barium compounds;gallium compounds;high electron mobility transistors;software radio;strontium compounds;thick film capacitors;varactors;wide band gap semiconductors;GaN-Ba0.8Sr0.2TiO3;discrete thick-film metal-insulator-metal barium-strontium-titanate varactor;electronically two-dimensional reconfigurable L-section matching network;field simulation;gallium nitride high-electron-mobility transistor;large-signal model;load impedance tunability;metal-insulator-metal BST varactor;output power;power 20 W;power 20.9 W;power added efficiency;reconfigurable package integrated radio frequency;tuneable module |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 28 Mär 2017 09:27 |
| Letzte Änderung: | 21 Feb 2020 10:48 |
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