Hajo, A. S. ; Al-Daffaie, S. ; Yilmazoglu, O. ; Haidar, M. T. ; Küppers, F. (2016)
Zero-bias Schottky diode based THz detectors at room temperature using metallic nanowire.
2016 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz).
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2016 |
| Autor(en): | Hajo, A. S. ; Al-Daffaie, S. ; Yilmazoglu, O. ; Haidar, M. T. ; Küppers, F. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Zero-bias Schottky diode based THz detectors at room temperature using metallic nanowire |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | September 2016 |
| Veranstaltungstitel: | 2016 41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz) |
| URL / URN: | https://doi.org/10.1109/IRMMW-THz.2016.7758892 |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;Schottky barriers;Schottky diodes;aluminium compounds;electrophoresis;gallium arsenide;high electron mobility transistors;nanowires;silver;submillimetre wave antennas;terahertz wave detectors;Ag;AlGaAs-GaAs;HEMT structure;Schottky anode;Schottky contact;air-bridge contact;dielectrophoresis;electric field enhancement;high electron mobility transistor structure;silver metallic nanowires;submicron anode contacts;temperature 293 K to 298 K;terahertz Schottky detectors;terahertz antenna;zero-bias Schottky diode;Anodes;Antennas;Detectors;Gallium arsenide;HEMTs;Schottky barriers;Schottky diodes |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Photonik und Optische Nachrichtentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 27 Mär 2017 11:42 |
| Letzte Änderung: | 13 Dez 2019 11:20 |
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