Horn, J. ; Vogt, A. ; Aller, I. ; Hartnagel, H. L. ; Stehle, M. (1996)
Heterostructure interface characterization using scanning tunneling microscope excited time-resolved luminescence.
In: Journal of Vacuum Science and Technology B, 14 (2)
doi: 10.1116/1.588721
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
We present time‐resolved luminescence measurements from n+n−n+‐GaAs homostructures and from an AlGaAs/GaAs heterostructure using a scanning tunneling microscope for excitation. From the transient decay of the luminescence intensity, the minority carrier lifetime in the semiconductor can be determined. The longest lifetime measured is 200 ns for a GaAs homostructure. We also demonstrate that the presented technique can be used for the study of recombination at heterointerfaces.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 1996 |
Autor(en): | Horn, J. ; Vogt, A. ; Aller, I. ; Hartnagel, H. L. ; Stehle, M. |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Heterostructure interface characterization using scanning tunneling microscope excited time-resolved luminescence |
Sprache: | Deutsch |
Publikationsjahr: | 1 März 1996 |
Verlag: | AIP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Vacuum Science and Technology B |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 14 |
(Heft-)Nummer: | 2 |
DOI: | 10.1116/1.588721 |
Kurzbeschreibung (Abstract): | We present time‐resolved luminescence measurements from n+n−n+‐GaAs homostructures and from an AlGaAs/GaAs heterostructure using a scanning tunneling microscope for excitation. From the transient decay of the luminescence intensity, the minority carrier lifetime in the semiconductor can be determined. The longest lifetime measured is 200 ns for a GaAs homostructure. We also demonstrate that the presented technique can be used for the study of recombination at heterointerfaces. |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 16:04 |
Letzte Änderung: | 13 Jun 2023 08:04 |
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