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Ultrafast photocathodes based on n-doped graphene emitters on compound semiconductor photoswitches

Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Küppers, F. ; Hartnagel, H. L. ; Neo, Y. ; Mimura, H. :
Ultrafast photocathodes based on n-doped graphene emitters on compound semiconductor photoswitches.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1109/IVNC.2015.7225573]
In: 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC).
[ Konferenzveröffentlichung] , (2015)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/IVNC.2015.7225573
Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2015
Autor(en): Yilmazoglu, O. ; Al-Daffaie, S. ; Küppers, F. ; Hartnagel, H. L. ; Neo, Y. ; Mimura, H.
Titel: Ultrafast photocathodes based on n-doped graphene emitters on compound semiconductor photoswitches
Sprache: Englisch
Freie Schlagworte: III-V semiconductors;electron field emission;gallium arsenide;graphene devices;photocathodes;photoelectric devices;C;GaAs;compound semiconductor photoswitches;diode configuration;fast photomodulation;n-doped graphene emitter;pulsed field electron emission;ultrafast photocathodes;Cathodes;Current measurement;Gallium arsenide;Graphene;Optical resonators;Semiconductor device measurement;field emitter;n-doped graphene;photocathode;semi-insulating GaAs
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Höchstfrequenzelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik > Photonik und Optische Nachrichtentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Veranstaltungstitel: 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC)
Hinterlegungsdatum: 21 Mär 2016 12:02
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1109/IVNC.2015.7225573
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