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Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors

Preis, S. ; Wiens, A. ; Wolff, N. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. (2015)
Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors.
Microwave Conference (EuMC), 2015 European.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2015
Autor(en): Preis, S. ; Wiens, A. ; Wolff, N. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors
Sprache: Deutsch
Publikationsjahr: September 2015
Veranstaltungstitel: Microwave Conference (EuMC), 2015 European
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/EuMC.2015.7346007
Freie Schlagworte: III-V semiconductors;MIM devices;gallium compounds;high electron mobility transistors;semiconductor device measurement;semiconductor device packaging;semiconductor device testing;thermal analysis;thick films;varactors;wide band gap semiconductors;BaSrTiO3;CW rating;GaN;HEMT technology;MIM thickfilm BST varactors;barium-strontium-titanate MIM varactors;electrical efficiency;frequency-agile packaged HEMT;frequency-agile transistor module;modulated-signal measurements;thermal cycling;tuning voltage range;voltage 400 V;wireless communication systems;Impedance;Linearity;Radio frequency;Temperature measurement;Transistors;Tuning;Varactors;BST;power transistors;tunable devices;varactors
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 21 Mär 2016 12:05
Letzte Änderung: 03 Jun 2018 21:27
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