Preis, S. ; Wiens, A. ; Wolff, N. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. (2015)
Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors.
Microwave Conference (EuMC), 2015 European.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
URL / URN: http://dx.doi.org/10.1109/EuMC.2015.7346007
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2015 |
| Autor(en): | Preis, S. ; Wiens, A. ; Wolff, N. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. ; Bengtsson, O. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Frequency-agile packaged GaN-HEMT using MIM thickfilm BST varactors |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | September 2015 |
| Veranstaltungstitel: | Microwave Conference (EuMC), 2015 European |
| URL / URN: | http://dx.doi.org/10.1109/EuMC.2015.7346007 |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;MIM devices;gallium compounds;high electron mobility transistors;semiconductor device measurement;semiconductor device packaging;semiconductor device testing;thermal analysis;thick films;varactors;wide band gap semiconductors;BaSrTiO3;CW rating;GaN;HEMT technology;MIM thickfilm BST varactors;barium-strontium-titanate MIM varactors;electrical efficiency;frequency-agile packaged HEMT;frequency-agile transistor module;modulated-signal measurements;thermal cycling;tuning voltage range;voltage 400 V;wireless communication systems;Impedance;Linearity;Radio frequency;Temperature measurement;Transistors;Tuning;Varactors;BST;power transistors;tunable devices;varactors |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 21 Mär 2016 12:05 |
| Letzte Änderung: | 03 Jun 2018 21:27 |
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