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Optimierung von p-GaP-Halbleitermaterialien zur photoelektrochemischen Wasserspaltung

Fertig, Dominic (2015)
Optimierung von p-GaP-Halbleitermaterialien zur photoelektrochemischen Wasserspaltung.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung

Kurzbeschreibung (Abstract)

In der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zur Charakterisierung und Optimierung der oberflächenphysikalischen Eigenschaften von p-dotierten Galliumphosphid-Einkristallen zur Anwendung als photoelektrochemische Zelle für die Wasserspaltung unternommen. Charakterisiert wurden die Proben unter Ultrahochvakuumbedingungen (UHV) mittels elektronenspektroskopischer Messmethoden, wie XPS, UPS, IPES und AES, sowie durch Beugung langsamer Elektronen (LEED). Zur Bestimmung der Effizienz der Zelle wurden Cyclovoltammetriemessungen (CV) mit verschiedenen Elektrolyten durchgeführt. Um die Grenzfläche im Bezug auf Bandanpassung, Transporteigenschaften und Stabilität gegenüber dem Elektrolyten weiter zu optimieren, wurden verschiedene dünne Schichten Zinkoxid, Zinndioxid und Galliumnitrid durch RF-Magnetron-Sputtern und reaktives Sputtern abgeschieden. Zudem wurde durch Aufbringen von Platinpartikeln als Katalysator via physikalischer Dampfabscheidung (PVD) versucht, die photoelektrochemische Wasserspaltungsreaktion zu beschleunigen. Hierbei ist es gelungen, einen großen Teil der Resultate aus den oberflächenphysikalischen Messungen auf das Verhalten in der Photoelektrochemie zu übertragen. Die gewonnenen Erkenntnisse lassen auf eine starke Abhängigkeit von der Art der Oberflächenpräparation, der Rekonstruktion in den verschiedenen Kristallorientierungen und den damit einhergehenden Oberflächenzuständen schließen.

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 2015
Autor(en): Fertig, Dominic
Art des Eintrags: Erstveröffentlichung
Titel: Optimierung von p-GaP-Halbleitermaterialien zur photoelektrochemischen Wasserspaltung
Sprache: Deutsch
Referenten: Jaegermann, Prof. Wolfram ; Elsäßer, Prof. Wolfgang
Publikationsjahr: Oktober 2015
Ort: Darmstadt
Datum der mündlichen Prüfung: 17 September 2015
URL / URN: http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/5009
Kurzbeschreibung (Abstract):

In der vorliegenden Arbeit wurden Untersuchungen zur Charakterisierung und Optimierung der oberflächenphysikalischen Eigenschaften von p-dotierten Galliumphosphid-Einkristallen zur Anwendung als photoelektrochemische Zelle für die Wasserspaltung unternommen. Charakterisiert wurden die Proben unter Ultrahochvakuumbedingungen (UHV) mittels elektronenspektroskopischer Messmethoden, wie XPS, UPS, IPES und AES, sowie durch Beugung langsamer Elektronen (LEED). Zur Bestimmung der Effizienz der Zelle wurden Cyclovoltammetriemessungen (CV) mit verschiedenen Elektrolyten durchgeführt. Um die Grenzfläche im Bezug auf Bandanpassung, Transporteigenschaften und Stabilität gegenüber dem Elektrolyten weiter zu optimieren, wurden verschiedene dünne Schichten Zinkoxid, Zinndioxid und Galliumnitrid durch RF-Magnetron-Sputtern und reaktives Sputtern abgeschieden. Zudem wurde durch Aufbringen von Platinpartikeln als Katalysator via physikalischer Dampfabscheidung (PVD) versucht, die photoelektrochemische Wasserspaltungsreaktion zu beschleunigen. Hierbei ist es gelungen, einen großen Teil der Resultate aus den oberflächenphysikalischen Messungen auf das Verhalten in der Photoelektrochemie zu übertragen. Die gewonnenen Erkenntnisse lassen auf eine starke Abhängigkeit von der Art der Oberflächenpräparation, der Rekonstruktion in den verschiedenen Kristallorientierungen und den damit einhergehenden Oberflächenzuständen schließen.

Alternatives oder übersetztes Abstract:
Alternatives AbstractSprache

In the present work investigations of p-doped gallium phosphide single cristal surface for characterizing and optimizing the physical propertiess as a device for photoelectrochemical water splitting were conducted. The samples have been characterized under ultra high vacuum conditions (UHV) using photoelectron spectroscopy like XPS, UPS, IPES and AES as well as low energy electron diffraction (LEED). To determine the efficiency of the photoelectrochemical cell, cyclo-voltammetric measurements (CV) with different electrolytes were obtained. For further optimization of the interface by means of band alignment, transport properties and stability against the electrolyte, various thin films of zinc oxide, tin dioxide and gallium nitride have been deposited by RF-magnetron sputtering and reactive sputtering techniques. Additionally the attempt was made to evaporate platinum particles via physical vapor deposition (PVD), to enhance the photoelectrochemical water splitting reaction. In this respect it was possible, to correlate the surface physical properties to the behavior in the photoelectrochemistry. These findings indicate a strong dependence on the surface preparation and reconstruction in different crystal orientations with respect to surface states.

Englisch
Freie Schlagworte: p-GaP, gallium phosphide, photoelectrochemical water splitting, XPS, UPS, IPES, CV, LEED
Schlagworte:
Einzelne SchlagworteSprache
p-GaP, gallium phosphide, photoelectrochemical water splitting, XPS, UPS, IPES, CV, LEEDEnglisch
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-50091
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 25 Okt 2015 20:55
Letzte Änderung: 25 Okt 2015 20:55
PPN:
Referenten: Jaegermann, Prof. Wolfram ; Elsäßer, Prof. Wolfgang
Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: 17 September 2015
Schlagworte:
Einzelne SchlagworteSprache
p-GaP, gallium phosphide, photoelectrochemical water splitting, XPS, UPS, IPES, CV, LEEDEnglisch
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