Walsh, Aron ; Lopes Ferreira da Silva, Juarez ; Wei, Su-Huai ; Körber, C. ; Klein, Andreas ; Piper, L. ; DeMasi, Alex ; Smith, Kevin ; Panaccione, G. ; Torelli, P. ; Payne, D. ; Bourlange, A. ; Egdell, R. (2008)
Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy.
In: Physical Review Letters, 100 (16)
doi: 10.1103/PhysRevLett.100.167402
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Bulk and surface sensitive x-ray spectroscopic techniques are applied in tandem to show that the valence band edge for In2O3 is found significantly closer to the bottom of the conduction band than expected on the basis of the widely quoted bulk band gap of 3.75 eV. First-principles theory shows that the upper valence bands of In2O3 exhibit a small dispersion and the conduction band minimum is positioned at Gamma. However, direct optical transitions give a minimal dipole intensity until 0.8 eV below the valence band maximum. The results set an upper limit on the fundamental band gap of 2.9 eV.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2008 |
| Autor(en): | Walsh, Aron ; Lopes Ferreira da Silva, Juarez ; Wei, Su-Huai ; Körber, C. ; Klein, Andreas ; Piper, L. ; DeMasi, Alex ; Smith, Kevin ; Panaccione, G. ; Torelli, P. ; Payne, D. ; Bourlange, A. ; Egdell, R. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 25 April 2008 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Physical Review Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 100 |
| (Heft-)Nummer: | 16 |
| DOI: | 10.1103/PhysRevLett.100.167402 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Bulk and surface sensitive x-ray spectroscopic techniques are applied in tandem to show that the valence band edge for In2O3 is found significantly closer to the bottom of the conduction band than expected on the basis of the widely quoted bulk band gap of 3.75 eV. First-principles theory shows that the upper valence bands of In2O3 exhibit a small dispersion and the conduction band minimum is positioned at Gamma. However, direct optical transitions give a minimal dipole intensity until 0.8 eV below the valence band maximum. The results set an upper limit on the fundamental band gap of 2.9 eV. |
| Zusätzliche Informationen: | SFB 595 D3 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 24 Mär 2015 14:55 |
| Letzte Änderung: | 23 Jul 2021 15:24 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum