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Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy

Walsh, Aron ; Lopes Ferreira da Silva, Juarez ; Wei, Su-Huai ; Körber, C. ; Klein, Andreas ; Piper, L. ; DeMasi, Alex ; Smith, Kevin ; Panaccione, G. ; Torelli, P. ; Payne, D. ; Bourlange, A. ; Egdell, R. (2008)
Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy.
In: Physical Review Letters, 100 (16)
doi: 10.1103/PhysRevLett.100.167402
Artikel, Bibliographie

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Kurzbeschreibung (Abstract)

Bulk and surface sensitive x-ray spectroscopic techniques are applied in tandem to show that the valence band edge for In2O3 is found significantly closer to the bottom of the conduction band than expected on the basis of the widely quoted bulk band gap of 3.75 eV. First-principles theory shows that the upper valence bands of In2O3 exhibit a small dispersion and the conduction band minimum is positioned at Gamma. However, direct optical transitions give a minimal dipole intensity until 0.8 eV below the valence band maximum. The results set an upper limit on the fundamental band gap of 2.9 eV.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2008
Autor(en): Walsh, Aron ; Lopes Ferreira da Silva, Juarez ; Wei, Su-Huai ; Körber, C. ; Klein, Andreas ; Piper, L. ; DeMasi, Alex ; Smith, Kevin ; Panaccione, G. ; Torelli, P. ; Payne, D. ; Bourlange, A. ; Egdell, R.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 25 April 2008
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical Review Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 100
(Heft-)Nummer: 16
DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.167402
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Kurzbeschreibung (Abstract):

Bulk and surface sensitive x-ray spectroscopic techniques are applied in tandem to show that the valence band edge for In2O3 is found significantly closer to the bottom of the conduction band than expected on the basis of the widely quoted bulk band gap of 3.75 eV. First-principles theory shows that the upper valence bands of In2O3 exhibit a small dispersion and the conduction band minimum is positioned at Gamma. However, direct optical transitions give a minimal dipole intensity until 0.8 eV below the valence band maximum. The results set an upper limit on the fundamental band gap of 2.9 eV.

Zusätzliche Informationen:

SFB 595 D3

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
Zentrale Einrichtungen
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden
Hinterlegungsdatum: 24 Mär 2015 14:55
Letzte Änderung: 03 Jul 2024 02:22
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