Wiens, A. ; Bengtsson, O. ; Maune, H. ; Sazegar, M. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. (2013)
Thick-film Barium-Strontium-Titantate varactors for RF power transistors.
Microwave Conference (EuMC), 2013 European.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2013 |
| Autor(en): | Wiens, A. ; Bengtsson, O. ; Maune, H. ; Sazegar, M. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Thick-film Barium-Strontium-Titantate varactors for RF power transistors |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | Oktober 2013 |
| Veranstaltungstitel: | Microwave Conference (EuMC), 2013 European |
| Freie Schlagworte: | barium compounds;gallium compounds;high electron mobility transistors;power transistors;thick film devices;varactors;wide band gap semiconductors;GaN;HEMT;RF power transistors;barium-strontium-titanate based thick-film varactors;gain shift;gallium nitride;large-signal environment;packaged RF power transistor;prematching shunt varactor;small- signal environment;thermal conditions;thermal dependency;thick-film barium-strontium-titantate varactors;tunable pre-matching transistor assembly;varactor bias voltage;Gain;Microwave transistors;Radio frequency;Temperature;Temperature measurement;Transistors;Varactors;BST;ferroelectrics;nonlinear devices;power amplifier |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 08 Dez 2014 13:06 |
| Letzte Änderung: | 26 Aug 2018 21:28 |
| PPN: | |
| Export: | |
| Suche nach Titel in: | TUfind oder in Google |
 |
Frage zum Eintrag |
Optionen (nur für Redakteure)
 |
Redaktionelle Details anzeigen |
Drucken
Impressum