Bengtsson, O. ; Maune, H. ; Wiens, A. ; Chevtchenko, S. A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. (2013)
RF-power GaN transistors with tunable BST pre-matching.
Microwave Symposium Digest (IMS), 2013 IEEE MTT-S International.
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
|---|---|
| Erschienen: | 2013 |
| Autor(en): | Bengtsson, O. ; Maune, H. ; Wiens, A. ; Chevtchenko, S. A. ; Jakoby, R. ; Heinrich, W. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | RF-power GaN transistors with tunable BST pre-matching |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | Juni 2013 |
| Veranstaltungstitel: | Microwave Symposium Digest (IMS), 2013 IEEE MTT-S International |
| Freie Schlagworte: | III-V semiconductors;barium compounds;gallium compounds;power HEMT;power transistors;strontium compounds;titanium compounds;varactors;wide band gap semiconductors;BST;GaN;RF power transistors;frequency 2 GHz to 3 GHz;gain 20 dB;load pull measurements;power HEMT;size 2 mm;tunable BST prematching;varactor;Assembly;Logic gates;Power generation;Transistors;Tuning;Varactors;Voltage measurement;Adaptive Matching;Ferroelectrics;Gallium Nitride;Power Amplifiers;Tunable Components |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) |
| Hinterlegungsdatum: | 08 Dez 2014 13:03 |
| Letzte Änderung: | 28 Sep 2017 07:34 |
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