Zuo, Yinan ; Genenko, Yuri A. ; Xu, Bai-Xiang (2014)
Charge compensation of head-to-head and tail-to-tail domain walls in barium titanate and its influence on conductivity.
In: Journal of Applied Physics, 116 (4)
doi: 10.1063/1.4891259
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
The effect of the polarization charge compensation by ionic and electronic space charges on domain properties in ferroelectrics with semiconducting features is considered, in particular, the conductivity of head-to-head and tail-to-tail domain walls is studied. It is shown that the domain wall conductivity that is enhanced by electrons or holes depends on the configuration and the types of domains as well as on the energy levels and concentrations of the defects involved. Phase field simulation results are used to explain recent equivocal experimental results on conductivity of charged domain walls in different ferroelectrics.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2014 |
Autor(en): | Zuo, Yinan ; Genenko, Yuri A. ; Xu, Bai-Xiang |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Charge compensation of head-to-head and tail-to-tail domain walls in barium titanate and its influence on conductivity |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 28 Juli 2014 |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 116 |
(Heft-)Nummer: | 4 |
DOI: | 10.1063/1.4891259 |
Kurzbeschreibung (Abstract): | The effect of the polarization charge compensation by ionic and electronic space charges on domain properties in ferroelectrics with semiconducting features is considered, in particular, the conductivity of head-to-head and tail-to-tail domain walls is studied. It is shown that the domain wall conductivity that is enhanced by electrons or holes depends on the configuration and the types of domains as well as on the energy levels and concentrations of the defects involved. Phase field simulation results are used to explain recent equivocal experimental results on conductivity of charged domain walls in different ferroelectrics. |
Freie Schlagworte: | Domain walls; Vacancies; Doping; Ferroelectricity; Manganese |
Zusätzliche Informationen: | SFB 595 Cooperation C5, C6 |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Mechanik Funktionaler Materialien 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Exzellenzinitiative Exzellenzinitiative > Graduiertenschulen Exzellenzinitiative > Graduiertenschulen > Graduate School of Computational Engineering (CE) Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C6: Mikromechanische Simulationen von Interaktion der Punktdefekte mit Domänenstruktur in Ferroelektrika |
Hinterlegungsdatum: | 04 Aug 2014 12:04 |
Letzte Änderung: | 26 Jan 2024 09:21 |
PPN: | |
Sponsoren: | The financial support by the German Science Foundation (Deutsche Forschungsgemeinschaft, Sonderforschungsbereich 595, Fatigue in Functional Materials, Schwerpunktprogramm 1599, , Caloric effects in ferroic materials: New concepts for cooling) is gratefully acknowledged. Proofreading of the manuscript and valuable remarks by Mr. S. Kurdi are gratefully acknowledged. |
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