Okamura, Koshi ; Nasr, Babak ; Brand, Richard A. ; Hahn, Horst (2012)
Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors.
In: Journal of Materials Chemistry, 22 (11)
doi: 10.1039/C2JM16426D
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
A p-type inorganic oxide semiconductor, tin monoxide (SnO), is developed by a solution process. SnO thin-film transistors (TFTs) in the p-channel enhancement mode are fabricated by spin-coating a precursor solution followed by postannealing, showing a highest field-effect mobility of 0.13 cm2 V−1 s−1, threshold voltage of −1.9 V, and on/off drain current ratio of 85.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2012 |
| Autor(en): | Okamura, Koshi ; Nasr, Babak ; Brand, Richard A. ; Hahn, Horst |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Solution-processed oxide semiconductor SnO in p-channel thin-film transistors |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2012 |
| Verlag: | Royal Society of Chemistry Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Materials Chemistry |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 22 |
| (Heft-)Nummer: | 11 |
| DOI: | 10.1039/C2JM16426D |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | A p-type inorganic oxide semiconductor, tin monoxide (SnO), is developed by a solution process. SnO thin-film transistors (TFTs) in the p-channel enhancement mode are fabricated by spin-coating a precursor solution followed by postannealing, showing a highest field-effect mobility of 0.13 cm2 V−1 s−1, threshold voltage of −1.9 V, and on/off drain current ratio of 85. |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Gemeinschaftslabor Nanomaterialien 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften |
| Hinterlegungsdatum: | 16 Jun 2014 12:05 |
| Letzte Änderung: | 16 Jun 2014 12:05 |
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