Zuo, Yinan ; Genenko, Yuri A. ; Klein, Andreas ; Stein, Peter ; Xu, Bai-Xiang (2014)
Domain wall stability in ferroelectrics with space charges.
In: Journal of Applied Physics, 115 (8)
doi: 10.1063/1.4866359
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Significant effect of semiconductor properties on domain configurations in ferroelectrics is demonstrated, especially in the case of doped materials. Phase field simulations are performed for ferroelectrics with space charges due to donors and electronic charge carriers. The free charges introduced thereby can act as a source for charge compensation at domain walls with uncompensated polarization bound charges. Results indicate that the equilibrium position of a domain wall with respect to its rotation in a head-to-head or a tail-to-tail domain configuration depends on the charge defect concentration and the Fermi level position.

Typ des Eintrags:	Artikel
Erschienen:	2014
Autor(en):	Zuo, Yinan ; Genenko, Yuri A. ; Klein, Andreas ; Stein, Peter ; Xu, Bai-Xiang
Art des Eintrags:	Bibliographie
Titel:	Domain wall stability in ferroelectrics with space charges
Sprache:	Englisch
Publikationsjahr:	28 Februar 2014
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe:	Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift:	115
(Heft-)Nummer:	8
DOI:	10.1063/1.4866359
Zugehörige Links:	TUprints Zweitveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract):	Significant effect of semiconductor properties on domain configurations in ferroelectrics is demonstrated, especially in the case of doped materials. Phase field simulations are performed for ferroelectrics with space charges due to donors and electronic charge carriers. The free charges introduced thereby can act as a source for charge compensation at domain walls with uncompensated polarization bound charges. Results indicate that the equilibrium position of a domain wall with respect to its rotation in a head-to-head or a tail-to-tail domain configuration depends on the charge defect concentration and the Fermi level position.
Freie Schlagworte:	Domain walls; Polarization; Ferroelectricity; Electric fields; Ferroelectric domain structure; Charge carriers; Vacancies; Barium; Space charge effects; Titanates
Zusätzliche Informationen:	SFB 595 Cooperation B7, C5, C6
Fachbereich(e)/-gebiet(e):	11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Mechanik Funktionaler Materialien 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche Exzellenzinitiative Exzellenzinitiative > Graduiertenschulen Exzellenzinitiative > Graduiertenschulen > Graduate School of Computational Engineering (CE) Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > B - Charakterisierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > B - Charakterisierung > Teilprojekt B7:Polarisation und Ladung in elektrisch ermüdeten Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C5: Phänomenologische Modellierung von Injektion, Transport und Rekombination in Bauelementen aus organischen Halbleitern sowie aus nichtorganischen Ferroelektrika DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C6: Mikromechanische Simulationen von Interaktion der Punktdefekte mit Domänenstruktur in Ferroelektrika
Hinterlegungsdatum:	28 Feb 2014 10:06
Letzte Änderung:	03 Jul 2024 02:21
PPN:
Export:	RDF+XMLIBW_RDASimple MetadataEndNoteMultiline CSVMODSDublin CoreAtomJSONBibTeXHTML CitationT2T_XMLEP3 XMLASCII Citation
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Verfügbare Versionen dieses Eintrags

• Domain wall stability in ferroelectrics with space charges. (deposited 16 Nov 2021 12:34)
  • Domain wall stability in ferroelectrics with space charges. (deposited 28 Feb 2014 10:06) [Gegenwärtig angezeigt]

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