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Strain engineering in epitaxial La1−xSr1+xMnO4 thin films

Vafaee, Mehran ; Baghaie Yazdi, Mehrdad ; Radetinac, Aldin ; Cherkashinin, Gennady ; Komissinskiy, Philipp ; Alff, Lambert (2013)
Strain engineering in epitaxial La1−xSr1+xMnO4 thin films.
In: Journal of Applied Physics, 113 (5)
doi: 10.1063/1.4790654
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

We have synthesized epitaxial thin films of La1−xSr1+xMnO4 with x = 0.0 and x = 0.5 by pulsed laser deposition on NdGaO3 and LaSrAlO4 substrates with different lattice mismatch. X-ray analysis shows that these layered doped manganites can be grown fully strained allowing to tune the lattice degrees of freedom which otherwise are a function of chemical composition x. Since the crystal structure is strongly coupled to the magnetic, orbital, and charge degrees of freedom in the doped manganites, the demonstrated strain engineering is the base for an extrinsic control of, e.g., charge-orbital order.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2013
Autor(en): Vafaee, Mehran ; Baghaie Yazdi, Mehrdad ; Radetinac, Aldin ; Cherkashinin, Gennady ; Komissinskiy, Philipp ; Alff, Lambert
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Strain engineering in epitaxial La1−xSr1+xMnO4 thin films
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 6 Februar 2013
Verlag: AIP Publishing LLC
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Applied Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 113
(Heft-)Nummer: 5
DOI: 10.1063/1.4790654
Kurzbeschreibung (Abstract):

We have synthesized epitaxial thin films of La1−xSr1+xMnO4 with x = 0.0 and x = 0.5 by pulsed laser deposition on NdGaO3 and LaSrAlO4 substrates with different lattice mismatch. X-ray analysis shows that these layered doped manganites can be grown fully strained allowing to tune the lattice degrees of freedom which otherwise are a function of chemical composition x. Since the crystal structure is strongly coupled to the magnetic, orbital, and charge degrees of freedom in the doped manganites, the demonstrated strain engineering is the base for an extrinsic control of, e.g., charge-orbital order.

Freie Schlagworte: Epitaxy, Orbital charge, Thin film growth, Doping, Charge coupled devices, Pulsed laser depo9sition, Thin film deposition, Single crystals, Antiferromagnetism, Lattice constants
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 09 Jan 2014 08:45
Letzte Änderung: 28 Mär 2015 15:32
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