Hildebrandt, Sandra ; Kober, Timo ; Werthschützky, Roland ; Alff, Lambert (2012)
Kristobalitbildung (SiO2) im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren.
In: 16. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2012
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren werden Glaswafer durch Wärmebehandlung definiert umgeformt. Dieser Temperaturprozess begünstigt das Kristallwachstum auf der Oberfläche des Glaswafers. Das Kristallwachstum fördert die Bildung von Mikrorissen im Glas. Es werden keine zusätzlichen passivierenden Beschichtungen benötigt, die während der Temperaturbehandlung mit dem Glaswafer chemisch reagieren oder mechanische Spannungen durch Fehlanpassung des Temperaturausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Glaswafer erzeugen könnten. Das beschriebene Verfahren ermöglicht dagegen das Umformen von Glaswafern ohne Beeinträchtigung der Qualität der Waferoberfläche. Das Kristallwachstum kann durch eine evakuierte Prozessumgebung während des Temperaturschritts soweit reduziert werden, dass für den beschriebenen Prozesszeitraum von 5 h bei 700 °C durch Röntgendiffraktogramme sowie AFM-Analyse kein Kristobalitwachstum nachgewiesen werden kann. Dies ermöglicht die direkte Weiterbearbeitung der Wafer z.B. für das Waferfügen durch Anodisches Bonden.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2012 |
| Autor(en): | Hildebrandt, Sandra ; Kober, Timo ; Werthschützky, Roland ; Alff, Lambert |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Kristobalitbildung (SiO2) im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren |
| Sprache: | Deutsch |
| Publikationsjahr: | 2012 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | 16. GMA/ITG-Fachtagung Sensoren und Messsysteme 2012 |
| URL / URN: | http://www.ama-science.org/home/details/811 |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Im Herstellungsprozess überlastfester Differenzdrucksensoren werden Glaswafer durch Wärmebehandlung definiert umgeformt. Dieser Temperaturprozess begünstigt das Kristallwachstum auf der Oberfläche des Glaswafers. Das Kristallwachstum fördert die Bildung von Mikrorissen im Glas. Es werden keine zusätzlichen passivierenden Beschichtungen benötigt, die während der Temperaturbehandlung mit dem Glaswafer chemisch reagieren oder mechanische Spannungen durch Fehlanpassung des Temperaturausdehnungskoeffizienten gegenüber dem Glaswafer erzeugen könnten. Das beschriebene Verfahren ermöglicht dagegen das Umformen von Glaswafern ohne Beeinträchtigung der Qualität der Waferoberfläche. Das Kristallwachstum kann durch eine evakuierte Prozessumgebung während des Temperaturschritts soweit reduziert werden, dass für den beschriebenen Prozesszeitraum von 5 h bei 700 °C durch Röntgendiffraktogramme sowie AFM-Analyse kein Kristobalitwachstum nachgewiesen werden kann. Dies ermöglicht die direkte Weiterbearbeitung der Wafer z.B. für das Waferfügen durch Anodisches Bonden. |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Dünne Schichten 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften |
| Hinterlegungsdatum: | 07 Jan 2014 10:06 |
| Letzte Änderung: | 07 Jan 2014 10:06 |
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