Kehrer, Lorenz A. (2013)
Sauerstoffinduzierte Defektzustände in Thiophen-basierten organischen Feldeffekttransistoren.
Technische Universität Darmstadt
Dissertation, Erstveröffentlichung
Kurzbeschreibung (Abstract)
Diese Dissertation behandelt die Einflüsse von Sauerstoff, Wasser und optischer Bestrahlung auf Poly(3-hexylthiophen) (P3HT)-basierte organische Feldeffekttransistoren (OFETs) in Top-Gate Geometrie. Die Stabilitäten bzw. Bauteileigenschaften im Betrieb in Abhängigkeit von äußeren Einflüssen werden charakterisieren. Es erfolgt eine Analyse der optischen, thermischen und elektronischen Eigenschaften der eingesetzten Organiken und der daraus resultierenden Bauteile. Des Weiteren werden auftretende Instabilitäten im Bauteilverhalten und damit verbundene Anforderungen an die äußeren Bedingungen vorgestellt und diskutiert. Hier wird sowohl gezeigt, dass Sauerstoff in die Bauteile eindiffundieren kann und Defektzustände in P3HT induziert, als auch unter welchen Bedingungen eine Besetzung dieser Defekte oder Ladungsträgerfallen erfolgen kann. Die Stabilität der Defekte wird offenbart und die Diffusion von Sauerstoff aus dem Bauteil heraus untersucht. Neben der Erzeugung und der Eliminierung der Falle wird aufgezeigt, wie die elektronische Entleerung der besetzten Fallen erfolgt. Am Ende dieser Dissertation werden die gefundenen Ergebnisse zu einem modellhaften Gesamtbild zusammengefügt und kritisch diskutiert.
| Typ des Eintrags: | Dissertation | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Erschienen: | 2013 | ||||
| Autor(en): | Kehrer, Lorenz A. | ||||
| Art des Eintrags: | Erstveröffentlichung | ||||
| Titel: | Sauerstoffinduzierte Defektzustände in Thiophen-basierten organischen Feldeffekttransistoren | ||||
| Sprache: | Deutsch | ||||
| Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
| Publikationsjahr: | Januar 2013 | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung: | 24 Januar 2013 | ||||
| URL / URN: | http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/3274/ | ||||
| Kurzbeschreibung (Abstract): | Diese Dissertation behandelt die Einflüsse von Sauerstoff, Wasser und optischer Bestrahlung auf Poly(3-hexylthiophen) (P3HT)-basierte organische Feldeffekttransistoren (OFETs) in Top-Gate Geometrie. Die Stabilitäten bzw. Bauteileigenschaften im Betrieb in Abhängigkeit von äußeren Einflüssen werden charakterisieren. Es erfolgt eine Analyse der optischen, thermischen und elektronischen Eigenschaften der eingesetzten Organiken und der daraus resultierenden Bauteile. Des Weiteren werden auftretende Instabilitäten im Bauteilverhalten und damit verbundene Anforderungen an die äußeren Bedingungen vorgestellt und diskutiert. Hier wird sowohl gezeigt, dass Sauerstoff in die Bauteile eindiffundieren kann und Defektzustände in P3HT induziert, als auch unter welchen Bedingungen eine Besetzung dieser Defekte oder Ladungsträgerfallen erfolgen kann. Die Stabilität der Defekte wird offenbart und die Diffusion von Sauerstoff aus dem Bauteil heraus untersucht. Neben der Erzeugung und der Eliminierung der Falle wird aufgezeigt, wie die elektronische Entleerung der besetzten Fallen erfolgt. Am Ende dieser Dissertation werden die gefundenen Ergebnisse zu einem modellhaften Gesamtbild zusammengefügt und kritisch diskutiert. |
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| Alternatives oder übersetztes Abstract: |
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| Freie Schlagworte: | Sauerstoff, Defektzustand, Falle, Fallenzustand, Organik, organische Halbleiter, Halbleiter, Polymere, organische Elektronik, Feldeffekttransistor, Poly(3-hexylthiophen), Thiophen, P3HT, OFET, PMMA | ||||
| Schlagworte: |
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| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-32740 | ||||
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
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| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Elektronische Materialeigenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften |
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| Hinterlegungsdatum: | 18 Mär 2013 16:27 | ||||
| Letzte Änderung: | 21 Mär 2013 10:04 | ||||
| PPN: | |||||
| Referenten: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
| Datum der mündlichen Prüfung / Verteidigung / mdl. Prüfung: | 24 Januar 2013 | ||||
| Schlagworte: |
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