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Si and N K-XANES spectroscopic study of novel Si–C–N ceramics

Franke, R. ; Bender, S. ; Pavlychev, A. A. ; Kroll, Peter ; Riedel, Ralf ; Greiner, Axel (1998)
Si and N K-XANES spectroscopic study of novel Si–C–N ceramics.
2nd German/Russian Symposium on Electron and X-Ray Spectroscopy. MAX PLANCK SOC, HARNACK HAUS, BERLIN, GERMANY (NOV 02-05, 1997)
doi: 10.1016/S0368-2048(98)00244-8
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

X-ray absorption near edge structure (XANES) measurements at the Si and N K-edges of ternary Si–C–N compounds are applied to analyze the changes of structural units owing to the thermally induced ceramization of silicon dicarbodiimide Si(N=C=N)2 at temperatures up to 1600°C. Samples synthesized below 800°C show an environment of silicon consisting of carbodiimide (N=C=N) groups. Further annealing leads to a crystalline phase, Si2CN4, which combines the structural units (Si–N–Si) and (Si–N=C=N). Recorded spectra of samples annealed at temperatures higher than 1200°C show the decomposition of Si2CN4. The material then transforms to a Si3N4–SiC composite material through an intermediate amorphous Si–C–N phase.

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 1998
Autor(en): Franke, R. ; Bender, S. ; Pavlychev, A. A. ; Kroll, Peter ; Riedel, Ralf ; Greiner, Axel
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Si and N K-XANES spectroscopic study of novel Si–C–N ceramics
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: November 1998
Verlag: Elsevier Science BV, Netherlands
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
(Heft-)Nummer: 1-3
Reihe: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
Band einer Reihe: 96 (1-3)
Veranstaltungstitel: 2nd German/Russian Symposium on Electron and X-Ray Spectroscopy
Veranstaltungsort: MAX PLANCK SOC, HARNACK HAUS, BERLIN, GERMANY
Veranstaltungsdatum: NOV 02-05, 1997
DOI: 10.1016/S0368-2048(98)00244-8
Kurzbeschreibung (Abstract):

X-ray absorption near edge structure (XANES) measurements at the Si and N K-edges of ternary Si–C–N compounds are applied to analyze the changes of structural units owing to the thermally induced ceramization of silicon dicarbodiimide Si(N=C=N)2 at temperatures up to 1600°C. Samples synthesized below 800°C show an environment of silicon consisting of carbodiimide (N=C=N) groups. Further annealing leads to a crystalline phase, Si2CN4, which combines the structural units (Si–N–Si) and (Si–N=C=N). Recorded spectra of samples annealed at temperatures higher than 1200°C show the decomposition of Si2CN4. The material then transforms to a Si3N4–SiC composite material through an intermediate amorphous Si–C–N phase.

Freie Schlagworte: SiCN ceramics, XANES
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Disperse Feststoffe
Hinterlegungsdatum: 15 Nov 2012 09:17
Letzte Änderung: 22 Aug 2018 08:19
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Sponsoren: The authors gratefully acknowedge the Deutsche Forschungsgemeinschaft, Bonn (Germany) for financial support.
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