Franke, R. ; Bender, S. ; Pavlychev, A. A. ; Kroll, Peter ; Riedel, Ralf ; Greiner, Axel (1998)
Si and N K-XANES spectroscopic study of novel Si–C–N ceramics.
2nd German/Russian Symposium on Electron and X-Ray Spectroscopy. MAX PLANCK SOC, HARNACK HAUS, BERLIN, GERMANY (02.11.1997-05.11.1997)
doi: 10.1016/S0368-2048(98)00244-8
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
X-ray absorption near edge structure (XANES) measurements at the Si and N K-edges of ternary Si–C–N compounds are applied to analyze the changes of structural units owing to the thermally induced ceramization of silicon dicarbodiimide Si(N=C=N)2 at temperatures up to 1600°C. Samples synthesized below 800°C show an environment of silicon consisting of carbodiimide (N=C=N) groups. Further annealing leads to a crystalline phase, Si2CN4, which combines the structural units (Si–N–Si) and (Si–N=C=N). Recorded spectra of samples annealed at temperatures higher than 1200°C show the decomposition of Si2CN4. The material then transforms to a Si3N4–SiC composite material through an intermediate amorphous Si–C–N phase.
Typ des Eintrags: | Konferenzveröffentlichung |
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Erschienen: | 1998 |
Autor(en): | Franke, R. ; Bender, S. ; Pavlychev, A. A. ; Kroll, Peter ; Riedel, Ralf ; Greiner, Axel |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Si and N K-XANES spectroscopic study of novel Si–C–N ceramics |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | November 1998 |
Verlag: | Elsevier Science BV, Netherlands |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena |
(Heft-)Nummer: | 1-3 |
Reihe: | Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena |
Band einer Reihe: | 96 (1-3) |
Veranstaltungstitel: | 2nd German/Russian Symposium on Electron and X-Ray Spectroscopy |
Veranstaltungsort: | MAX PLANCK SOC, HARNACK HAUS, BERLIN, GERMANY |
Veranstaltungsdatum: | 02.11.1997-05.11.1997 |
DOI: | 10.1016/S0368-2048(98)00244-8 |
Kurzbeschreibung (Abstract): | X-ray absorption near edge structure (XANES) measurements at the Si and N K-edges of ternary Si–C–N compounds are applied to analyze the changes of structural units owing to the thermally induced ceramization of silicon dicarbodiimide Si(N=C=N)2 at temperatures up to 1600°C. Samples synthesized below 800°C show an environment of silicon consisting of carbodiimide (N=C=N) groups. Further annealing leads to a crystalline phase, Si2CN4, which combines the structural units (Si–N–Si) and (Si–N=C=N). Recorded spectra of samples annealed at temperatures higher than 1200°C show the decomposition of Si2CN4. The material then transforms to a Si3N4–SiC composite material through an intermediate amorphous Si–C–N phase. |
Freie Schlagworte: | SiCN ceramics, XANES |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Disperse Feststoffe |
Hinterlegungsdatum: | 15 Nov 2012 09:17 |
Letzte Änderung: | 22 Aug 2018 08:19 |
PPN: | |
Sponsoren: | The authors gratefully acknowedge the Deutsche Forschungsgemeinschaft, Bonn (Germany) for financial support. |
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