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Interdiffusion at the BaCuSeF/ZnTe interface

Zakutayev, Andriy ; Tate, Janet ; Xie, Sujing ; Gibbons, Brady J. ; Platt, Heather A. S. ; Keszler, Douglas A. ; Barati, Alireza ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2011)
Interdiffusion at the BaCuSeF/ZnTe interface.
In: Thin Solid Films, 519 (21)
doi: 10.1016/j.tsf.2010.12.125
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

BaCuSeF/ZnTe is a model system to investigate physical and chemical properties of the interfaces of non-oxide wide-bandgap p-type semiconductors with materials used in chalcogenide solar cells. The BaCuSeF/ZnTe interface was studied using electron microscopy and photoelectron spectroscopy. Both techniques indicate that Se and Cu from BaCuSeF diffuse into ZnTe creating an interdiffused layer between these two materials. The interdiffusion may be attributed to the differences in materials formation enthalpies and to Fermi level pinning in BaCuSeF.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2011
Autor(en): Zakutayev, Andriy ; Tate, Janet ; Xie, Sujing ; Gibbons, Brady J. ; Platt, Heather A. S. ; Keszler, Douglas A. ; Barati, Alireza ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Interdiffusion at the BaCuSeF/ZnTe interface
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 31 August 2011
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Thin Solid Films
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 519
(Heft-)Nummer: 21
DOI: 10.1016/j.tsf.2010.12.125
Kurzbeschreibung (Abstract):

BaCuSeF/ZnTe is a model system to investigate physical and chemical properties of the interfaces of non-oxide wide-bandgap p-type semiconductors with materials used in chalcogenide solar cells. The BaCuSeF/ZnTe interface was studied using electron microscopy and photoelectron spectroscopy. Both techniques indicate that Se and Cu from BaCuSeF diffuse into ZnTe creating an interdiffused layer between these two materials. The interdiffusion may be attributed to the differences in materials formation enthalpies and to Fermi level pinning in BaCuSeF.

Freie Schlagworte: BaCuChF; p-Type transparent conductor; Wide-band gap semiconductor; Thin film chalcogenide solar cells; Scanning transmission electron microscopy; Energy dispersive x-ray analysis; Copper vacancy; Fermi level pinning
Zusätzliche Informationen:

SFB 595 D3

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
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DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
Hinterlegungsdatum: 17 Sep 2012 13:11
Letzte Änderung: 26 Mär 2015 09:15
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