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Void formation in melt-grown silicon studied by molecular dynamics simulations: From grown-in faulted dislocation loops to vacancy clusters

Pohl, Johan ; Albe, Karsten (2011)
Void formation in melt-grown silicon studied by molecular dynamics simulations: From grown-in faulted dislocation loops to vacancy clusters.
In: App. Phys. Lett., 99 (8)
doi: 10.1063/1.3630028
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

Molecular dynamics simulations of a dislocation based mechanism for void formation in silicon are presented. By studying a moving solid-liquid interface in Si, we observe the formation of dislocation loops on (111) facets consisting of coherency and anticoherency dislocations, which disband within nanoseconds into vacancy clusters of 10 or more vacancies. These vacancy clusters can act as nucleation seeds for the experimentally observed octahedral single and double voids.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2011
Autor(en): Pohl, Johan ; Albe, Karsten
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Void formation in melt-grown silicon studied by molecular dynamics simulations: From grown-in faulted dislocation loops to vacancy clusters
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 25 August 2011
Verlag: American Institute of Physics
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: App. Phys. Lett.
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 99
(Heft-)Nummer: 8
DOI: 10.1063/1.3630028
URL / URN: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i8/p081910_s1
Kurzbeschreibung (Abstract):

Molecular dynamics simulations of a dislocation based mechanism for void formation in silicon are presented. By studying a moving solid-liquid interface in Si, we observe the formation of dislocation loops on (111) facets consisting of coherency and anticoherency dislocations, which disband within nanoseconds into vacancy clusters of 10 or more vacancies. These vacancy clusters can act as nucleation seeds for the experimentally observed octahedral single and double voids.

Freie Schlagworte: dislocation loops, elemental semiconductors, molecular dynamics method, nucleation, silicon, vacancies (crystal), voids (solid)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC > C: Fundamentale Experimente
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC > C: Fundamentale Experimente > C2: Elektronstreuung an Wenig-Nukleonen-Systemen
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Zentrale Einrichtungen
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche
DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio)
Hinterlegungsdatum: 22 Feb 2012 10:59
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:58
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