Pohl, Johan ; Albe, Karsten (2011)
Void formation in melt-grown silicon studied by molecular dynamics simulations: From grown-in faulted dislocation loops to vacancy clusters.
In: App. Phys. Lett., 99 (8)
doi: 10.1063/1.3630028
Artikel, Bibliographie
Kurzbeschreibung (Abstract)
Molecular dynamics simulations of a dislocation based mechanism for void formation in silicon are presented. By studying a moving solid-liquid interface in Si, we observe the formation of dislocation loops on (111) facets consisting of coherency and anticoherency dislocations, which disband within nanoseconds into vacancy clusters of 10 or more vacancies. These vacancy clusters can act as nucleation seeds for the experimentally observed octahedral single and double voids.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2011 |
Autor(en): | Pohl, Johan ; Albe, Karsten |
Art des Eintrags: | Bibliographie |
Titel: | Void formation in melt-grown silicon studied by molecular dynamics simulations: From grown-in faulted dislocation loops to vacancy clusters |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 25 August 2011 |
Verlag: | American Institute of Physics |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | App. Phys. Lett. |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 99 |
(Heft-)Nummer: | 8 |
DOI: | 10.1063/1.3630028 |
URL / URN: | http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i8/p081910_s1 |
Kurzbeschreibung (Abstract): | Molecular dynamics simulations of a dislocation based mechanism for void formation in silicon are presented. By studying a moving solid-liquid interface in Si, we observe the formation of dislocation loops on (111) facets consisting of coherency and anticoherency dislocations, which disband within nanoseconds into vacancy clusters of 10 or more vacancies. These vacancy clusters can act as nucleation seeds for the experimentally observed octahedral single and double voids. |
Freie Schlagworte: | dislocation loops, elemental semiconductors, molecular dynamics method, nucleation, silicon, vacancies (crystal), voids (solid) |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC > C: Fundamentale Experimente DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 634: Kernstruktur, nukleare Astrophysik und fundamentale Experimente bei kleinen Impulsüberträgen am supraleitenden Darmstädter Elektronenbeschleuniger S-DALINAC > C: Fundamentale Experimente > C2: Elektronstreuung an Wenig-Nukleonen-Systemen 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften Zentrale Einrichtungen DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) |
Hinterlegungsdatum: | 22 Feb 2012 10:59 |
Letzte Änderung: | 05 Mär 2013 09:58 |
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