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Simultaneous Deposition of Metallic Bundles of Single-walled Carbon Nanotubes Using Ac-dielectrophoresis

Krupke, Ralph ; Hennrich, Frank ; Weber, H. B. ; Kappes, Manfred M. ; Löhneysen, Hilbert v. (2003)
Simultaneous Deposition of Metallic Bundles of Single-walled Carbon Nanotubes Using Ac-dielectrophoresis.
In: Nano Letters, 3 (8)
doi: 10.1021/nl0342343
Artikel, Bibliographie

Kurzbeschreibung (Abstract)

A simple and scalable scheme based on alternating current (ac-) dielectrophoresis is used for the simultaneous and site-selective deposition of single bundles of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) onto a large number of contacts requiring only one bond wire. This allows for a large number of transport measurements that show that the deposited bundles contain at least one metallic SWNT dominating the transport. With high-voltage pulses, metallic bundles are transformed into Schottky-barrier-type field-effect transistors with p-type, ambipolar, or n-type behavior. From a simple electromechanical model, we derive the fact that ac-dielectrophoresis selectively deposits bundles containing metallic tubes.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Krupke, Ralph ; Hennrich, Frank ; Weber, H. B. ; Kappes, Manfred M. ; Löhneysen, Hilbert v.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Simultaneous Deposition of Metallic Bundles of Single-walled Carbon Nanotubes Using Ac-dielectrophoresis
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 9 Juli 2003
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Nano Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 3
(Heft-)Nummer: 8
DOI: 10.1021/nl0342343
Kurzbeschreibung (Abstract):

A simple and scalable scheme based on alternating current (ac-) dielectrophoresis is used for the simultaneous and site-selective deposition of single bundles of single-walled carbon nanotubes (SWNTs) onto a large number of contacts requiring only one bond wire. This allows for a large number of transport measurements that show that the deposited bundles contain at least one metallic SWNT dominating the transport. With high-voltage pulses, metallic bundles are transformed into Schottky-barrier-type field-effect transistors with p-type, ambipolar, or n-type behavior. From a simple electromechanical model, we derive the fact that ac-dielectrophoresis selectively deposits bundles containing metallic tubes.

Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Molekulare Nanostrukturen
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 08 Nov 2011 13:42
Letzte Änderung: 05 Mär 2013 09:55
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